FDC606P、SI3473DV-T1-E3、SI3473CDV-T1-GE3对比区别
型号 FDC606P SI3473DV-T1-E3 SI3473CDV-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC606P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -500 mV晶体管, MOSFET, P沟道, -5.9 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -1 V晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP-6
额定电压(DC) -12.0 V - -
额定电流 -6.00 A - -
通道数 1 - -
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.026 Ω 0.019 Ω 0.016 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.6 W 1.1 W 2 W
输入电容 1.70 nF - 2010 pF
栅电荷 18.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V
漏源击穿电压 -12.0 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
连续漏极电流(Ids) 6.00 A, -6.00 A -5.90 A 8A
上升时间 10 ns 50 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 1699pF @6V(Vds) - 2010pF @6V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 1.1 W 4.2 W
下降时间 70 ns 110 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6 W - 2000 mW
阈值电压 - 1 V -
长度 3 mm - 3.1 mm
宽度 1.7 mm - -
高度 1 mm - -
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -