FDN308P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDN308P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
输入电容 341 pF
栅电荷 3.80 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -1.50 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 341pF @10VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDN308P引脚图与封装图
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在线购买FDN308P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDN308P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN308P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -1 V | 搜索库存 |
替代型号FDN308P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDN308P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SuperSOT P-Channel -20V -1.5A 86mohms 341pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN308P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -1 V | 当前型号 |
| 型号： NTR1P02LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 P-Channel -20V 1.3A 220mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23 | FDN308P和NTR1P02LT1G的区别 |
| 型号： NTR1P02LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 P-Channel -20V 1.3A | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | FDN308P和NTR1P02LT3G的区别 |
| 型号： PMV65XP,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB P-Channel 20V 3.9A | 功能相似 | NXP PMV65XP,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV | FDN308P和PMV65XP,215的区别 |