FDN308P、NTR1P02LT3G、NTR1P02LT1G对比区别

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型号 FDN308P NTR1P02LT3G NTR1P02LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN308P  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -1 VP 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorON SEMICONDUCTOR  NTR1P02LT1G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -1.50 A - -1.30 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.125 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 500 mW 400 mW 400 mW

输入电容 341 pF - 225 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) -1.50 A 1.30 A, -1.30 A 1.30 A, 1.30 mA

上升时间 10 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 341pF @10V(Vds) 225pF @5V(Vds) 225pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 400 mW 400 mW

下降时间 10 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta)

栅电荷 3.80 nC - -

阈值电压 - 1 V -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1.01 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99