制造商型号： | FDN308P |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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ON(安森美) FDN308P
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FDN308P 中文资料
数据手册PDF
FDN308P 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 86 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 12 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDN308P_NL
单位重量 30 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.24524 | 3735.72 |
| 6000 | 1.181919 | 7091.51 |
| 9000 | 1.097537 | 9877.83 |
| 30000 | 1.072223 | 32166.69 |
品牌其他型号
FDN308P品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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