制造商型号： | FDN352AP |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FDN352AP
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FDN352AP 中文资料
数据手册PDF
FDN352AP 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 1.9 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 2 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 4 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDN352AP_NL
单位重量 30 mg
FDN352AP 引脚图与封装图
FDN352AP引脚图
FDN352AP封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.058252 | 3174.76 |
| 6000 | 1.004473 | 6026.84 |
| 9000 | 0.93272 | 8394.48 |
| 30000 | 0.911165 | 27334.95 |
| 75000 | 0.887964 | 66597.30 |
品牌其他型号
FDN352AP品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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