FDC658P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC658P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -4.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
输入电容 750 pF
栅电荷 8.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -4.00 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 750pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDC658P引脚图与封装图
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在线购买FDC658P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC658P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDC658P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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