FDC638P、FDC658P、AO6409对比区别

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型号 FDC638P FDC658P AO6409

描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658P  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 VP沟 -20V -5.5A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6

额定功率 - - 1.3 W

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 1.6 W 1.6 W 2 W

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -4.50 A -4.00 A 5.5A

上升时间 9 ns 14 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @10V(Vds) 750pF @15V(Vds) 1450pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 2 W

下降时间 12 ns 16 ns 29 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6 W 1.6W (Ta) 2.1W (Ta)

额定电压(DC) -20.0 V -30.0 V -

额定电流 -4.50 A -4.00 A -

通道数 1 - -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.039 Ω 0.041 Ω -

输入电容 1.16 nF 750 pF -

栅电荷 10.0 nC 8.00 nC -

漏源击穿电压 20 V -30.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V ±20.0 V -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6

长度 3 mm 3 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1 mm 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -