FDC658P、ZXMP3A17E6TA、FDC654P对比区别

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型号 FDC658P ZXMP3A17E6TA FDC654P

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658P  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 VZXMP3A17E6TA 编带FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC654P  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -1.9 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -3.60 A

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.041 Ω 0.07 Ω 0.063 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.6 W 1.1 W 1.6 W

输入电容 750 pF - 298 pF

栅电荷 8.00 nC - 6.20 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 -30.0 V - -30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) -4.00 A 3.20 A 3.60 A

上升时间 14 ns 2.87 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 750pF @15V(Vds) 630pF @15V(Vds) 298pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 1.1 W 800 mW

下降时间 16 ns 8.72 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.1W (Ta) 1.6W (Ta)

阈值电压 - 800 mV -

长度 3 mm - 3 mm

宽度 1.7 mm - 1.7 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99