FDS9945
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS9945中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 3.50 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 74 mΩ
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 420 pF
栅电荷 8.00 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 4.3 ns
输入电容Ciss 420pF @30VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS9945引脚图与封装图
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在线购买FDS9945
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS9945 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9945.. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDS9945
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS9945 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 60V 3.5A 100mohms 420pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9945.. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： NDS9945 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 60V 3.5A 76mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS9945. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V | FDS9945和NDS9945的区别 |
| 型号： STS4DNF60L 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 60V 4A 55mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V | FDS9945和STS4DNF60L的区别 |
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