锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDS9945、FDS9945_NL、NDS9945对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS9945 FDS9945_NL NDS9945

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9945..  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V60V N-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS9945.  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 3.50 A - 3.50 A

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 74 mΩ - 0.1 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-CH N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 2.5 V - 1.7 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.5A 3.50 A

上升时间 4.3 ns - 7.5 ns

输入电容(Ciss) 420pF @30V(Vds) - 345pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 900 mW

下降时间 3 ns - 7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2 W

通道数 2 - -

输入电容 420 pF - -

栅电荷 8.00 nC - -

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.9 mm

高度 1.5 mm - 1.57 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99