FDS9945、STS4DNF60L、NDS9945对比区别

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型号 FDS9945 STS4DNF60L NDS9945

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9945..  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS9945.  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 3.50 A 4.00 A 3.50 A

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 74 mΩ 0.045 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2.5 W 2 W

阈值电压 2.5 V 1.7 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 4.00 A 3.50 A

上升时间 4.3 ns 28 ns 7.5 ns

输入电容(Ciss) 420pF @30V(Vds) 1030pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2 W 900 mW

下降时间 3 ns 10 ns 7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW 2 W

输入电容 420 pF - -

栅电荷 8.00 nC - -

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.57 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99