ECH8315-TL-W中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 875pF @10VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOT-28
外形尺寸
封装 SOT-28
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECH8315-TL-W引脚图与封装图
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在线购买ECH8315-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ECH8315-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | Trans MOSFET P-CH Si 30V 7.5A 8Pin SOT-28FL T/R | 搜索库存 |
替代型号ECH8315-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ECH8315-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH Si 30V 7.5A 8Pin SOT-28FL T/R | 当前型号 |
| 型号： ECH8315-TL-H 品牌： 安森美 封装： ECH | 完全替代 | P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | ECH8315-TL-W和ECH8315-TL-H的区别 |