EFC6601R-TR中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 6
漏源极电阻 11.5 mΩ
耗散功率 2 W
漏源击穿电压 24 V
上升时间 630 ns
额定功率Max 2 W
下降时间 47000 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 XFBGA-6
外形尺寸
封装 XFBGA-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EFC6601R-TR引脚图与封装图
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在线购买EFC6601R-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EFC6601R-TR | ON Semiconductor 安森美 | 24V,13A,11.5mΩ,双N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号EFC6601R-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EFC6601R-TR 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-XFBGA | 当前型号 | 24V,13A,11.5mΩ,双N沟道功率MOSFET | 当前型号 |