ECH8697R-TL-W中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0093 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 24 V
上升时间 230 ns
额定功率Max 1.5 W
下降时间 23.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOT-28
外形尺寸
长度 2.96 mm
封装 SOT-28
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECH8697R-TL-W引脚图与封装图 
ECH8697R-TL-W引脚图
ECH8697R-TL-W封装图
ECH8697R-TL-W封装焊盘图
在线购买ECH8697R-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ECH8697R-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | 24V,10A,11.6mΩ,双共漏极N通道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号ECH8697R-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ECH8697R-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 8-SMD Dual N-Channel | 当前型号 | 24V,10A,11.6mΩ,双共漏极N通道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： ECH8601M-TL-H-P 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | MOSFET 2N-CH | ECH8697R-TL-W和ECH8601M-TL-H-P的区别 |
| 型号： ECH8651R-TL-H 品牌： 安森美 封装： 8-SMD Dual N-Channel 24V 10A | 功能相似 | 10A,24V,双N沟道MOSFET | ECH8697R-TL-W和ECH8651R-TL-H的区别 |
| 型号： ECH8655R-R-TL-H 品牌： 安森美 封装： 8-SMD | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8Pin ECH T/R | ECH8697R-TL-W和ECH8655R-R-TL-H的区别 |