制造商型号: | DMN1019UVT-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMN1019UVT-7
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DMN1019UVT-7 中文资料
数据手册PDF
DMN1019UVT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 10.7 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 50.4 nC
耗散功率 1.73 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.6 ns
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32.2 ns
典型接通延迟时间 4.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.99542 | 2986.26 |
6000 | 0.935069 | 5610.41 |
品牌其他型号
DMN1019UVT-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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