DMG1012UW-7、DMN2020LSN-7、DMG1012T-7对比区别

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型号 DMG1012UW-7 DMN2020LSN-7 DMG1012T-7

描述 N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323DIODES INC.  DMN2020LSN-7  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 1 V 新DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SC-59-3 SOT-523-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.3 Ω 0.013 Ω 0.3 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 0.29 W 610 mW 280 mW

阈值电压 1 V 1 V 1 V

输入电容 - 1149 pF -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 1A 6.9A 0.63A

上升时间 7.4 ns 12.49 ns 7.4 ns

输入电容(Ciss) 60.67pF @16V(Vds) 1149pF @10V(Vds) 60.67pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 290 mW 610 mW 280 mW

下降时间 12.3 ns 12.33 ns 12.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 290 mW 610mW (Ta) 280 mW

额定功率 0.29 W - 0.28 W

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 20 V

长度 - 3 mm -

封装 SC-70-3 SC-59-3 SOT-523-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99