DS1265Y-70、DS1265Y-70+、DS1265W-100IND+对比区别

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型号 DS1265Y-70 DS1265Y-70+ DS1265W-100IND+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1265W-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

工作电压 - - 3.3 V

针脚数 - - 36

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 70.0 ns 70 ns 100 ns

内存容量 8000000 B 8000000 B 1000000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 5.5 V 3.6 V

电源电压(Min) - 4.5 V 3 V

长度 - 53.34 mm 53.34 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 10.29 mm 10.29 mm

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free