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DS1258Y-100、DS1258Y-70IND#、DS1258AB-100#对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258Y-100 DS1258Y-70IND# DS1258AB-100#

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 40 - -

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

时钟频率 100 GHz - -

存取时间 100 ns - 100 ns

内存容量 2000000 B - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Box -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 无铅