DS1225AB-150IND
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1225AB-150IND中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 4.75V min
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 8000 B
电源电压 4.75V ~ 5.25V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
外形尺寸
封装 DIP-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1225AB-150IND引脚图与封装图 
DS1225AB-150IND引脚图
DS1225AB-150IND封装图
DS1225AB-150IND封装焊盘图
在线购买DS1225AB-150IND
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1225AB-150IND | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIP | 搜索库存 |
替代型号DS1225AB-150IND
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1225AB-150IND 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： DIP 8000B 4.75V 150ns 28Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIP | 当前型号 |
| 型号： DS1225AB-150IND+ 品牌： 美信 封装： EDIP 8000B 4.75V 28Pin | 完全替代 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-150IND+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1225AB-150IND和DS1225AB-150IND+的区别 |
| 型号： DS1225AB-70IND+ 品牌： 美信 封装： EDIP-28 | 功能相似 | 非易失性SRAM NVSRAM, 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28 | DS1225AB-150IND和DS1225AB-70IND+的区别 |
| 型号： DS1225AB-150+ 品牌： 美信 封装： DIP 8000B 5V 150ns 28Pin | 功能相似 | RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 | DS1225AB-150IND和DS1225AB-150+的区别 |