DS1225AB-150IND、DS1225AB-150IND+、DS1225AB-70IND+对比区别

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型号 DS1225AB-150IND DS1225AB-150IND+ DS1225AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-150IND+  芯片, 存储器, NVRAM非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 -

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 4.75V (min) 4.75V (min) -

针脚数 - 28 28

存取时间 150 ns 150 ns 70 ns

内存容量 8000 B 8000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

时钟频率 150 GHz - -

长度 - 39.12 mm -

宽度 - 18.29 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free