DS1225AB-150IND、DS1225AB-150+、DS1225AB-150IND+对比区别

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型号 DS1225AB-150IND DS1225AB-150+ DS1225AB-150IND+

描述 IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIPRAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-150IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 4.75V (min) 5.00 V, 5.25 V (max) 4.75V (min)

时钟频率 150 GHz 150 GHz -

存取时间 150 ns 150 ns 150 ns

内存容量 8000 B 8000 B 8000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

针脚数 - - 28

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

长度 - 39.12 mm 39.12 mm

宽度 - 18.29 mm 18.29 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free