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DS1250Y-100+

DS1250Y-100+

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Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-100+  芯片, 存储器, NVRAM

NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb（512K x 8） 并联 32-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP


立创商城:
4Mbit 4.5V~5.5V


贸泽:
NVRAM 4096K NV SRAM


e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, 100 ns, EDIP


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin EDIP


Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-100+  NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8bit, 100 ns


DeviceMart:
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32DIP


Win Source:
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP


DS1250Y-100+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

针脚数 32

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 500000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 43.69 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

制造应用 Embedded Design & Development, 嵌入式设计与开发

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1250Y-100+引脚图与封装图
DS1250Y-100+引脚图

DS1250Y-100+引脚图

DS1250Y-100+封装图

DS1250Y-100+封装图

DS1250Y-100+封装焊盘图

DS1250Y-100+封装焊盘图

在线购买DS1250Y-100+
型号 制造商 描述 购买
DS1250Y-100+ Maxim Integrated 美信 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-100+  芯片, 存储器, NVRAM 搜索库存
替代型号DS1250Y-100+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DS1250Y-100+

品牌： Maxim Integrated 美信

封装： DIP 500000B 5V 100ns 32Pin

当前型号

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-100+  芯片, 存储器, NVRAM

当前型号

型号： DS1250Y-100

品牌： 美信

封装： DIP 500000B 5V 100ns 32Pin

完全替代

IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP

DS1250Y-100+和DS1250Y-100的区别

型号： DS1250Y-70+

品牌： 美信

封装： DIP 500000B 5V 70ns 32Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-70+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1250Y-100+和DS1250Y-70+的区别

型号： DS1250AB-100IND+

品牌： 美信

封装： MOD

类似代替

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