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DS1250AB-100IND+、DS1250Y-100+、DS1250AB-100+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250AB-100IND+ DS1250Y-100+ DS1250AB-100+

描述 Ic Nvsram 4096Kbit 100ns 32dip - Ds1250ab-100ind+MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-100+  芯片, 存储器, NVRAMIc Nvsram 4Mbit 100ns 32dip - Ds1250ab-100+

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 32 -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

针脚数 - 32 -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 - 500000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 5.25 V 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.5 V 4.75 V

长度 42.29 mm 43.69 mm 43.69 mm

宽度 13.97 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 4.06 mm 9.4 mm 9.4 mm

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free