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DS1250Y-100、DS1250Y-100+、DS1250Y-70+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250Y-100 DS1250Y-100+ DS1250Y-70+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-100+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-70+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 EDIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 32 32

时钟频率 100 GHz 100 GHz 70.0 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 70 ns

内存容量 500000 B 500000 B 500000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

长度 43.69 mm 43.69 mm 44.2 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm 10.92 mm

封装 EDIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free