CSD19538Q2T
TI(德州仪器)
分立器件
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装
表面贴装型 N 通道 13.1A（Tc） 2.5W（Ta），20.2W（Tc） 6-WSON（2x2）
得捷:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
立创商城:
CSD19538Q2T
德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
贸泽:
MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6 2x2mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON / N-Channel 100 V 13.1A Tc 2.5W Ta, 20.2W Tc Surface Mount 6-WSON 2x2
