制造商型号： | CSD19538Q2T |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD19538Q2T
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CSD19538Q2T 中文资料
数据手册PDF
CSD19538Q2T 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 14.4 A
漏源电阻 59 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.2 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 3 ns
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
CSD19538Q2T 引脚图与封装图
CSD19538Q2T引脚图
CSD19538Q2T封装图
CSD19538Q2T封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 4.649606 | 1162.40 |
| 500 | 4.109043 | 2054.52 |
| 1250 | 3.24394 | 4054.92 |
| 2500 | 3.027692 | 7569.23 |
| 6250 | 2.876285 | 17976.78 |
品牌其他型号
CSD19538Q2T品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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