CY7C1361A-100BGC
数据手册.pdf
Cypress Semiconductor
赛普拉斯
主动器件
CY7C1361A-100BGC中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100MHz max
存取时间 100 µs
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 119
封装 BGA
外形尺寸
高度 1.46 mm
封装 BGA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CY7C1361A-100BGC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1361A-100BGC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1361A-100BGC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 256K ×36 / 512K ×18的同步流动，直通突发SRAM 256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM | 搜索库存 |
替代型号CY7C1361A-100BGC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1361A-100BGC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： BGA 3.3V 100µs | 当前型号 | 256K ×36 / 512K ×18的同步流动，直通突发SRAM 256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM | 当前型号 |
| 型号： CY7C1361B-100BZI 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 功能相似 | 9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流通型SRAM 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Flow-Through SRAM | CY7C1361A-100BGC和CY7C1361B-100BZI的区别 |
| 型号： CY7C1361B-100BGC 品牌： 赛普拉斯 封装： 119-BGA 9000000B 3.3V 100µs | 功能相似 | 9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流通型SRAM 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Flow-Through SRAM | CY7C1361A-100BGC和CY7C1361B-100BGC的区别 |
