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CY7C1361A-100BGC、CY7C1361B-100BZI、CY7C1361B-100BGC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1361A-100BGC CY7C1361B-100BZI CY7C1361B-100BGC

描述 256K ×36 / 512K ×18的同步流动,直通突发SRAM 256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 165 -

封装 BGA FBGA BGA-119

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3.3 V 3.3 V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 100MHz (max) - 100MHz (max)

存取时间 100 µs - 100 µs

内存容量 - - 9000000 B

高度 1.46 mm 0.79 mm -

封装 BGA FBGA BGA-119

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)