CY7C2568KV18-400BZC

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 400MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C2568KV18-400BZC

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IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

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静态随机存取存储器 4Mb x 18 400 MHz

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CY7C2568KV18-400BZC中文资料参数规格

技术参数

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C2568KV18-400BZC引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
CY7C2568KV18-400BZC	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture	搜索库存

替代型号CY7C2568KV18-400BZC

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： CY7C2568KV18-400BZC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯封装： FBGA	当前型号	72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture	当前型号
型号： CY7C25682KV18-400BZXC 品牌：赛普拉斯封装： FBGA	完全替代	CY7C25682 72 Mb 4M x 18 0.45ns 1.8 V 单端口同步 SRAM - FBGA-165	CY7C2568KV18-400BZC和CY7C25682KV18-400BZXC的区别
型号： CY7C25682KV18-400BZC 品牌：赛普拉斯封装： FBGA	完全替代	72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT	CY7C2568KV18-400BZC和CY7C25682KV18-400BZC的区别
型号： IS61DDPB24M18A-400M3L 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	功能相似	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165	CY7C2568KV18-400BZC和IS61DDPB24M18A-400M3L的区别