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CY7C25682KV18-400BZXC、CY7C2568KV18-400BZC、CY7C25682KV18-400BZC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C25682KV18-400BZXC CY7C2568KV18-400BZC CY7C25682KV18-400BZC

描述 CY7C25682 72 Mb (4M x 18) 0.45ns 1.8 V 单端口 同步 SRAM - FBGA-16572兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 590 mA - -

时钟频率 400 MHz - -

位数 18 - -

存取时间 0.45 ns - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a - -