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CY7C2568KV18-400BZC、IS61DDPB24M18A-400M3L、CY7C25682KV18-400BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C2568KV18-400BZC IS61DDPB24M18A-400M3L CY7C25682KV18-400BZXC

描述 72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst ArchitectureDDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165CY7C25682 72 Mb (4M x 18) 0.45ns 1.8 V 单端口 同步 SRAM - FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 - 165

封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

供电电流 - - 590 mA

时钟频率 - - 400 MHz

位数 - - 18

存取时间 - - 0.45 ns

存取时间(Max) - - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.71V ~ 1.89V 1.7V ~ 1.9V

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a