
位数 16
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.3 V
引脚数 44
封装 TSOP
高度 1.04 mm
封装 TSOP
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY7C1041CV33-10ZXI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 4兆位( 256K ×16 )静态RAM 4-Mbit 256K x 16 Static RAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY7C1041CV33-10ZXI 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: TSOP-II | 当前型号 | 4兆位( 256K ×16 )静态RAM 4-Mbit 256K x 16 Static RAM | 当前型号 | |
型号: CY7C1041DV33-10ZSXI 品牌: 赛普拉斯 封装: TSOP-II 500000B 3V 10ns 44Pin | 功能相似 | RAM,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器) | CY7C1041CV33-10ZXI和CY7C1041DV33-10ZSXI的区别 | |
型号: IS61LV25616AL-10TLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: TSOP-II 4000000B 3.3V 10ns | 功能相似 | RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器) | CY7C1041CV33-10ZXI和IS61LV25616AL-10TLI的区别 | |
型号: CY7C1041G30-10ZSXI 品牌: 赛普拉斯 封装: TSOP-44 | 功能相似 | CY7C1041G 系列 4 Mb 256 K x 16 3.6 V 表面贴装 静态 RAM - TSOP II-44 | CY7C1041CV33-10ZXI和CY7C1041G30-10ZSXI的区别 |