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CY7C1041CV33-10ZXI、IS61LV25616AL-10TLI、AS7C34098A-10TIN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1041CV33-10ZXI IS61LV25616AL-10TLI AS7C34098A-10TIN

描述 4兆位( 256K ×16 )静态RAM 4-Mbit (256K x 16) Static RAMRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)AS7C34098A 系列 4 Mb (256 K x 16) 3.3 V 10 ns CMOS 静态 RAM - TSOP 11-44

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 44

封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

工作电压 - 3.3 V 3V ~ 3.6V

位数 16 16 -

存取时间 - 10 ns 10 ns

内存容量 - 4000000 B -

存取时间(Max) 10 ns 10 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3.3 V 3.135V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 3.135 V 3 V

长度 - 18.52 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 1.04 mm 1.05 mm -

封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -