CY7C1041CV33-10ZXI、CY7C1041DV33-10ZSXI、IS61LV25616AL-10TLI对比区别
型号 CY7C1041CV33-10ZXI CY7C1041DV33-10ZSXI IS61LV25616AL-10TLI
描述 4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM 4-Mbit (256K x 16) Static RAMRAM，Cypress Semiconductor### SRAM（静态随机存取存储器）RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
引脚数 44 44 44
封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
位数 16 16 16
存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3.3 V 3V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V
频率 - 100 MHz -
电源电压(DC) - 3.00 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)
工作电压 - 3V ~ 3.6V 3.3 V
针脚数 - 44 -
时钟频率 - 10.0 GHz -
存取时间 - 10 ns 10 ns
内存容量 - 500000 B 4000000 B
电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V
电源电压(Min) - 3 V 3.135 V
高度 1.04 mm 1.04 mm 1.05 mm
封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44
长度 - 18.52 mm 18.52 mm
宽度 - 10.26 mm 10.29 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free PB free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR