CY7C1418BV18-250BZXC、CY7C1418KV18-250BZXC、CY7C1418KV18-250BZI对比区别

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型号 CY7C1418BV18-250BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1418KV18-250BZI

描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1418JV18 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM -FBGA-16536兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 760 mA 430 mA -

时钟频率 250 MHz 250 MHz -

位数 18 18 18

存取时间 0.45 ns 1 ms -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a