CSD16323Q3C
TI(德州仪器)
分立器件
CSD16323Q3C中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 3 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1300pF @12.5VVds
下降时间 6.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
外形尺寸
宽度 3.3 mm
封装 VSON-Clip-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CSD16323Q3C引脚图与封装图 
CSD16323Q3C引脚图
CSD16323Q3C封装图
CSD16323Q3C封装焊盘图
在线购买CSD16323Q3C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD16323Q3C | TI 德州仪器 | 双路 Cool N 通道 NexFET 功率 MOSFET | 搜索库存 |
替代型号CSD16323Q3C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD16323Q3C 品牌： TI 德州仪器 封装： 8-SON N-CH 25V 21A | 当前型号 | 双路 Cool N 通道 NexFET 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD16340Q3 品牌： 德州仪器 封装： 8-PowerTDFN N-Channel 25V 60A | 类似代替 | 25V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD16323Q3C和CSD16340Q3的区别 |
| 型号： CSD16323Q3 品牌： 德州仪器 封装： 8-PowerTDFN N-Channel 25V 60A | 类似代替 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD16323Q3C和CSD16323Q3的区别 |
| 型号： CSD16322Q5C 品牌： 德州仪器 封装： SON N-Channel 25V 97A | 类似代替 | DualCool™ N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD16323Q3C和CSD16322Q5C的区别 |