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CY14B101Q2A-SXI、CY14B101Q2A-SXIT、CY14B101J2-SXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B101Q2A-SXI CY14B101Q2A-SXIT CY14B101J2-SXI

描述 CY14B101Q 系列 3 V 1 Mb (128 K × 8) 自动存储 nvSRAM - SOIC-81兆位( 128千×8 )串行( SPI )的nvSRAM数据保存:20年,在85 ℃下 1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °CCY14B101 系列 1 Mb (128 K x 8) 3.6 V nvSRAM - SOIC-16

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 3 mA - 1 mA

时钟频率 40 MHz - 3.4 MHz

耗散功率 - 1 W 1 W

存取时间(Max) 9 ns 9 ns 900 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

工作电压 3 V - -

耗散功率(Max) 1 W 1 W -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a EAR99 EAR99