
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 0.5A
封装 SIP
封装 SIP
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BUX86P | NXP 恩智浦 | 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BUX86P 品牌: NXP 恩智浦 封装: SIP NPN | 当前型号 | 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor | 当前型号 | |
型号: 2SD2462 品牌: 东芝 封装: TPS NPN | 功能相似 | TPS NPN 60V 3A | BUX86P和2SD2462的区别 | |
型号: 2SD1251 品牌: 松下 封装: | 功能相似 | 硅NPN三重扩散结型(适用于功率放大) Silicon NPN triple diffusion junction typeFor power amplification | BUX86P和2SD1251的区别 | |
型号: 2SD1913 品牌: Inchange Semiconductor 封装: | 功能相似 | Silicon NPN Power Transistors | BUX86P和2SD1913的区别 |