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2SD1251、BUX86P、2SD2462对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SD1251 BUX86P 2SD2462

描述 硅NPN三重扩散结型(适用于功率放大) Silicon NPN triple diffusion junction type(For power amplification)硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorTPS NPN 60V 3A

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) NXP (恩智浦) Toshiba (东芝)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 - SIP TPS

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 400 V 60 V

集电极最大允许电流 4A 0.5A 3A

封装 - SIP TPS

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant