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2SD1913、BUX86P、2SB1274对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SD1913 BUX86P 2SB1274

描述 Silicon NPN Power Transistors硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applicationse

数据手册 ---

制造商 Inchange Semiconductor NXP (恩智浦) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 - SIP TO-220

封装 - SIP TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 400 V -

集电极最大允许电流 - 0.5A -