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BCR142W
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

• Built in bias resistor R1=22kΩ, R2=47kΩ

• Pb-free RoHS compliant package1

• Qualified according AEC Q101


BCR142W中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.25 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70

最大电流放大倍数hFE 70

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.90 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR142W引脚图与封装图
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BCR142W Infineon 英飞凌 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor 搜索库存
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型号: BCR142W

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

当前型号

型号: BCR135W

品牌: 英飞凌

封装:

完全替代

NPN硅数字晶体管(开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路) NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

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型号: BCR141W

品牌: 英飞凌

封装:

类似代替

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型号: PUMB11,115

品牌: 安世

封装: 6-TSSOP

功能相似

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