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BCR135W、BCR142W、RN1002对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR135W BCR142W RN1002

描述 NPN硅数字晶体管(开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路) NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorTO-92 NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 SOT-323 SOT-323 TO-92

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定功率 - 0.25 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 70 -

最大电流放大倍数(hFE) - 70 -

封装 SOT-323 SOT-323 TO-92

长度 - 2.00 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.90 mm -

产品生命周期 End of Life End of Life Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -