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BCR142W、PUMB11,115、BCR135W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR142W PUMB11,115 BCR135W

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNexperia PUMB11,115 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装NPN硅数字晶体管(开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路) NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323 SC-70-6 SOT-323

引脚数 - 6 -

额定功率 0.25 W - -

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 70 30 @5mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 70 - -

耗散功率 - 0.3 W -

额定功率(Max) - 300 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

长度 2.00 mm 2.2 mm -

宽度 1.25 mm 1.35 mm -

高度 0.90 mm 1 mm -

封装 SOT-323 SC-70-6 SOT-323

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 End of Life Active End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free