BSM35GD120DN2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSM35GD120DN2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 280 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 2nF @25V
额定功率Max 280 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 280000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 17
封装 ECONO2-2
外形尺寸
长度 107.5 mm
宽度 45.5 mm
高度 17 mm
封装 ECONO2-2
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BSM35GD120DN2引脚图与封装图
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在线购买BSM35GD120DN2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSM35GD120DN2 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 17Pin ECONOPACK 2 | 搜索库存 |
替代型号BSM35GD120DN2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSM35GD120DN2 品牌： Infineon 英飞凌 封装： EconoPACK | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 17Pin ECONOPACK 2 | 当前型号 |
| 型号： BSM35GD120DN2E3224 品牌： 英飞凌 封装： EconoPACK | 完全替代 | 电路图 Circuit Diagram | BSM35GD120DN2和BSM35GD120DN2E3224的区别 |
| 型号： SM35 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A IC, 1200V VBRCES, N-Channel | BSM35GD120DN2和SM35的区别 |