BSM35GD120DN2、BSM35GD120DN2E3224、SM35对比区别

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型号 BSM35GD120DN2 BSM35GD120DN2E3224 SM35

描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 17Pin ECONOPACK 2电路图 Circuit DiagramInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Screw -

引脚数 17 17 -

封装 ECONO2-2 ECONO2-2 -

耗散功率 280 W 280 W -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 2nF @25V - -

额定功率(Max) 280 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -

耗散功率(Max) 280000 mW 280000 mW -

长度 107.5 mm 107.5 mm -

宽度 45.5 mm 45 mm -

高度 17 mm 17 mm -

封装 ECONO2-2 ECONO2-2 -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 Lead Free -