BSM35GD120DN2、SM35、BSM35GD120DN2E3224对比区别

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型号 BSM35GD120DN2 SM35 BSM35GD120DN2E3224

描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 17Pin ECONOPACK 2Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel电路图 Circuit Diagram

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw - Screw

引脚数 17 - 17

封装 ECONO2-2 - ECONO2-2

耗散功率 280 W - 280 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 2nF @25V - -

额定功率(Max) 280 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - 40 ℃

耗散功率(Max) 280000 mW - 280000 mW

长度 107.5 mm - 107.5 mm

宽度 45.5 mm - 45 mm

高度 17 mm - 17 mm

封装 ECONO2-2 - ECONO2-2

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free