BSO615NG
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSO615NG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.60 A
极性 Dual N-Channel
输入电容 380 pF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.60 A
输入电容Ciss 380pF @25VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSO615NG引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSO615NG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSO615NG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC Dual N-Channel 60V 2.6A 380pF | 当前型号 | 60V,2.6A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IRF7103TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： 8-SOIC N-CH 50V 3A | 类似代替 | INFINEON IRF7103TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V | BSO615NG和IRF7103TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7103PBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC Dual N-Channel 50V 3A | 类似代替 | INFINEON IRF7103PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V | BSO615NG和IRF7103PBF的区别 |
| 型号： AUIRF7103QTR 品牌： 英飞凌 封装： REEL Dual N-Channel 50V 3A | 类似代替 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | BSO615NG和AUIRF7103QTR的区别 |