BLF368、BLF248,112、MRF141G对比区别

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型号 BLF368 BLF248,112 MRF141G

描述 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 25A 5Pin CDFM Bulk射频功率场效应管300W ， 175MHz的， 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) M/A-Com

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Screw Flange

引脚数 5 5 5

封装 SOT-262 SOT-2621 375-04

频率 - 225 MHz 175 MHz

耗散功率 500 W - 500000 mW

漏源击穿电压 65 V - 65.0V (min)

输出功率 300 W 300 W 300 W

增益 13.5 dB 11.5 dB 14 dB

测试电流 - - 500 mA

输入电容(Ciss) 495pF @32V(Vds) 500pF @28V(Vds) 350pF @28V(Vds)

耗散功率(Max) 500000 mW 500000 mW 500000 mW

额定电压 - - 65 V

额定电流 25.0 A 25 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

电源电压(DC) 32.0 V - -

额定电压(DC) 65.0 V - -

漏源极电阻 150 mΩ - -

阈值电压 4.5 V - -

漏源极电压(Vds) 65.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A - -

上升时间 15 ns - -

下降时间 20 ns - -

封装 SOT-262 SOT-2621 375-04

长度 34.17 mm - -

宽度 10.29 mm - -

高度 5.77 mm - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR