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2N7002E、BSS192PE6327、ST120对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002E BSS192PE6327 ST120

描述 Small Signal Field-Effect Transistor,MOSFET P-CH 250V 190mA SOT-89Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 LiteOn (光宝) Infineon (英飞凌) Yageo (国巨)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - SOT-89 -

额定电压(DC) - -250 V -

额定电流 - -190 mA -

耗散功率 - 1W (Ta) -

漏源极电压(Vds) - 250 V -

连续漏极电流(Ids) - 190 mA -

上升时间 3.5 ns 5.20 ns -

输入电容(Ciss) 30pF @25V(Vds) 104pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1 W -

耗散功率(Max) 830 mW 1W (Ta) -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 - SOT-89 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -