锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BUL216

STMICROELECTRONICS  BUL216  单晶体管 双极, NPN, 800 V, 90 W, 2 A, 40 hFE

高电压,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


立创商城:
NPN 800V 4A


得捷:
TRANS NPN 800V 4A TO220


欧时:
STMicroelectronics BUL216 , NPN 晶体管, 4 A, Vce=800 V, HFE:10, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 800 V, 90 W, 2 A, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Jameco:
Transistor General Purpose BJT NPN 800 Volt 4 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans GP BJT NPN 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
BUL216 Series NPN 800 V 4 A Fast-Switching Power Transistor - TO-220


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 800 V, 90 W, 4 A, 40 hFE


Win Source:
TRANS NPN 800V 4A TO-220


BUL216中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 4.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 90 W

击穿电压集电极-发射极 800 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 12 @400mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 90 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 9000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, 照明, Lighting, Power Management, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BUL216引脚图与封装图
BUL216引脚图

BUL216引脚图

BUL216封装图

BUL216封装图

BUL216封装焊盘图

BUL216封装焊盘图

在线购买BUL216
型号 制造商 描述 购买
BUL216 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  BUL216  单晶体管 双极, NPN, 800 V, 90 W, 2 A, 40 hFE 搜索库存
替代型号BUL216
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BUL216

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 NPN 800V 4A 9000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  BUL216  单晶体管 双极, NPN, 800 V, 90 W, 2 A, 40 hFE

当前型号

型号: 2SC3657

品牌: 东芝

封装: TO-3PN NPN

功能相似

TO-3PN NPN 800V 4A

BUL216和2SC3657的区别